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大容量光催化反應(yīng)儀CY-GHX-BC特點說明

大容量光催化反應(yīng)儀CY-GHX-BC特點說明

更新時間:2020-10-22
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大容量光催化反應(yīng)儀CY-GHX-BC特點說明,光化學反應(yīng)儀, 又稱為光化學反應(yīng)釜,多功能光化學反應(yīng)器.主要用于研究氣相或液相介質(zhì)、固定或流動體系、紫外光或模擬可見光照、以及反應(yīng)容器是否負載TiO2光催化劑等條件下的光化學反應(yīng)。

大容量光催化反應(yīng)儀CY-GHX-BC特點說明的詳細資料:

大容量光催化反應(yīng)儀CY-GHX-BC特點說明

技術(shù)參數(shù):

型號:CY-GHX-BC大容量控溫光化學反應(yīng)儀

(一)主體部分

1.光源功率可連續(xù)調(diào)節(jié)大小。

2.集成式光源控制器,可供汞燈、氙燈、金鹵燈等多種光源使用。

3.汞燈功率調(diào)節(jié)范圍:0~1000W可連續(xù)調(diào)節(jié)。

4.氙燈功率調(diào)節(jié)范圍:0~1000W可連續(xù)調(diào)節(jié)。

5.金鹵燈功率調(diào)節(jié)范圍:0~500W可連續(xù)調(diào)節(jié)。

(二)d容量反應(yīng)部分

1.玻璃反應(yīng)器皿可以分別選用250ml、500ml、1000ml等(或定做)。

2.大功率強力磁力攪拌器使樣品充分混勻受光。

(三)控溫裝置

1.冷卻水循環(huán)裝置制冷量:>1000W

2.控溫范圍:-5°C到100°C

3.冷卻水循環(huán)裝置設(shè)有腳輪和底部排液閥。

 

  光化學反應(yīng)與一般熱化學反應(yīng)相比有許多不同之處,主要表現(xiàn)在:加熱使分子活化時,體系中分子能量的分布服從玻耳茲曼分布;而分子受到光激活時,原則上可以做到選擇性激發(fā),體系中分子能量的分布屬于非平衡分布。所以光化學反應(yīng)的途徑與產(chǎn)物往往和基態(tài)熱化學反應(yīng)不同,只要光的波長適當,能為物質(zhì)所吸收,即使在很低的溫度下,光化學反應(yīng)仍然可以進行。

  光化學的初級過程是分子吸收光子使電子激發(fā),分子由基態(tài)提升到激發(fā)態(tài)。分子中的電子狀態(tài)、振動與轉(zhuǎn)動狀態(tài)都是量子化的,即相鄰狀態(tài)間的能量變化是不連續(xù)的。因此分子激發(fā)時的初始狀態(tài)與終止狀態(tài)不同時,所要求的光子能量也是不同的,而且要求二者的能量值盡可能匹配。

  由于分子在一般條件下處于能量較低的穩(wěn)定狀態(tài),稱作基態(tài)。受到光照射后,如果分子能夠吸收電磁輻射,就可以提升到能量較高的狀態(tài),稱作激發(fā)態(tài)。如果分子可以吸收不同波長的電磁輻射,就可以達到不同的激發(fā)態(tài)。按其能量的高低,從基態(tài)往上依次稱做D一激發(fā)態(tài)、第二激發(fā)態(tài)等等;而把高于D一激發(fā)態(tài)的所有激發(fā)態(tài)統(tǒng)稱為高激發(fā)態(tài)。

  激發(fā)態(tài)分子的壽命一般較短,而且激發(fā)態(tài)越高,其壽命越短,以致于來不及發(fā)生化學反應(yīng),所以光化學主要與低激發(fā)態(tài)有關(guān)。激發(fā)時分子所吸收的電磁輻射能有兩條主要的耗散途徑:一是和光化學反應(yīng)的熱效應(yīng)合并;二是通過光物理過程轉(zhuǎn)變成其他形式的能量。

  光物理過程可分為輻射弛豫過程和非輻射弛豫過程。輻射弛豫過程是指將全部或部分多余的能量以輻射能的形式耗散掉,分子回到基態(tài)的過程,如發(fā)射熒光或磷光;非輻射弛豫過程是指多余的能量全部以熱的形式耗散掉,分子回到基態(tài)的過程。

  決定一個光化學反應(yīng)的真正途徑往往需要建立若干個對應(yīng)于不同機理的假想模型,找出各模型體系與濃度、光強及其他有關(guān)參量間的動力學方程,然后考察何者與實驗結(jié)果的相符合程度*高,以決定哪一個是*可能的反應(yīng)途徑。 

 

大容量光催化反應(yīng)儀CY-GHX-BC特點說明 

光催化凈化技術(shù)主要是利用光催化劑二氧化欽(T'02)吸收外界輻射的光能,使其直接轉(zhuǎn)變?yōu)榛瘜W能。當能量大于Ti02禁帶寬度的光照射半導體時,光激發(fā)電子躍遷到導帶,形成導帶電子(e-),同時在價帶留下空穴階(h+)。由于半導體能帶的不連續(xù)性,電子和空穴的壽命較長,它們能夠在電場作用下或通過擴散的方式運動,與吸附在半導體催化劑粒子表面上的物質(zhì)發(fā)生氧化還原反應(yīng),或者被表面晶格缺陷俘獲??昭ê碗娮釉诖呋瘎┝W觾?nèi)部或表面也能直接復(fù)合,空穴能夠同吸附在催化劑粒子表面的月口一或HZO發(fā)生作用生成經(jīng)基自由基HO " , HO.是一種活性很高的粒子,能夠無選擇的氧化多種有機物并使之礦化。

由于光催化還屬于一種新興的技術(shù),有很多因素還需要額外考慮,諸如納米光催化劑的制備技術(shù)、納米光催化劑的高活性和高壽命技術(shù)、納米光催化劑的固載化技術(shù)和納米光催化劑反應(yīng)的設(shè)計技術(shù),這些因素的實現(xiàn)勢必會使得凈化器價格攀升,從而影響推廣。然而該技術(shù)*大的不足在于,從利用太陽光效率的角度看,半導體的光吸收波長范圍狹窄,主要在紫外區(qū),利用太陽光的比例低;光生載流子的復(fù)合率很高,導致量子效率較低。

 


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